ไดโอด SiC 3L TO-220AB ประสิทธิภาพและความทนทานดีเยี่ยม

รูปภาพเด่นของไดโอด SiC ประสิทธิภาพและความทนทานที่ยอดเยี่ยม 3L TO-220AB

คำอธิบายสั้น ๆ :

โครงสร้างบรรจุภัณฑ์: 3L TO-220AB

บทนำ: YUNYI 3L TO-220AB SiC Diode ทำจากวัสดุซิลิคอนคาร์ไบด์ ไดโอด SiC มีค่าการนำความร้อนสูง ซึ่งสามารถปรับปรุงความหนาแน่นของพลังงานได้อย่างมีประสิทธิภาพ ยิ่งการนำความร้อนสูงขึ้นความสามารถของวัสดุในการถ่ายเทความร้อนสู่สิ่งแวดล้อมก็จะยิ่งดีขึ้น อุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นของอุปกรณ์ก็จะยิ่งน้อยลงเท่านั้น ซึ่งเอื้อต่อการปรับปรุงความหนาแน่นของพลังงานของอุปกรณ์ไฟฟ้ามากขึ้น ดังนั้นจึงเหมาะสำหรับการทำงานใน สภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูง ความแรงของสนามพังทลายสูงของไดโอด SiC จะเพิ่มแรงดันไฟฟ้าที่ทนทานและลดขนาด และความแรงของสนามพังทลายทางอิเล็กทรอนิกส์สูงจะเพิ่มแรงดันพังทลายของอุปกรณ์พลังงานเซมิคอนดักเตอร์ ในเวลาเดียวกัน เนื่องจากความแรงของสนามสลายอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้น ในกรณีที่เพิ่มความหนาแน่นของการเจาะสิ่งเจือปน บรอดแบนด์ของขอบเขตดริฟท์ของอุปกรณ์พลังงานไดโอด SiC จะลดลง เพื่อให้ขนาดของอุปกรณ์ไฟฟ้า สามารถลดลงได้

ส่งอีเมลถึงเรา

รายละเอียดสินค้า

การตรวจสอบเวลาตอบสนอง

ช่วงการวัด

แท็กสินค้า

ข้อดีของไดโอด SiC 3L TO-220AB ของ YUNYI:

1. ต้นทุนที่แข่งขันได้และมีคุณภาพระดับสูง

2. ประสิทธิภาพการผลิตสูงด้วยระยะเวลารอคอยสั้น

3. ขนาดเล็ก ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพพื้นที่แผงวงจร

4. ทนทานภายใต้สภาพแวดล้อมทางธรรมชาติต่างๆ

5. ชิปสูญเสียต่ำที่พัฒนาตนเอง

ขั้นตอนการผลิตชิป:

1. การพิมพ์แบบกลไก (การพิมพ์แผ่นเวเฟอร์อัตโนมัติที่มีความแม่นยำสูงเป็นพิเศษ)

2. การแกะสลักครั้งแรกอัตโนมัติ (อุปกรณ์การแกะสลักอัตโนมัติ, CPK>1.67)

3. การทดสอบขั้วอัตโนมัติ (การทดสอบขั้วที่แม่นยำ)

4. การประกอบอัตโนมัติ (การประกอบที่แม่นยำอัตโนมัติที่พัฒนาตนเอง)

5. การบัดกรี (การป้องกันด้วยส่วนผสมของการบัดกรีไนโตรเจนและไฮโดรเจน)

6. การกัดครั้งที่สองอัตโนมัติ (การกัดครั้งที่สองอัตโนมัติด้วยน้ำบริสุทธิ์พิเศษ)

7. การติดกาวอัตโนมัติ (การติดกาวที่สม่ำเสมอและการคำนวณที่แม่นยำทำได้โดยอุปกรณ์ติดกาวที่แม่นยำอัตโนมัติ)

8. การทดสอบความร้อนอัตโนมัติ (เลือกอัตโนมัติโดยเครื่องทดสอบความร้อน)

9. การทดสอบอัตโนมัติ (เครื่องทดสอบมัลติฟังก์ชั่น)

พารามิเตอร์ของผลิตภัณฑ์:

หมายเลขชิ้นส่วน	บรรจุุภัณฑ์	VRWM V	IO A	ไอเอฟแซดเอ็ม A	IR μa	V_F V
ZICRF10650CT	อิโตะ-220เอบี	650	10	60	60	1.7
ZICRF5650	อิโต-220เอซี	650	5	60	60	2
ZICRF6650	อิโต-220เอซี	650	6	60	50	2
Z3D06065F	อิโต-220เอซี	650	6	70	3 (ทั่วไป 0.03)	1.7 (ทั่วไป 1.5)
ZICRF10650	อิโต-220เอซี	650	10	100	120	1.7
ZICRF101200	อิโต-220เอซี	1200	10	110	100	1.8
ZICRF12600	อิโต-220เอซี	600	12	50	150	1.7
ZICRF12650	อิโต-220เอซี	650	12	50	150	1.7
Z3D03065F	อิโต-220เอซี	650	3	46	2(ทั่วไป 0.03)	1.7 (ทั่วไป 1.4)
Z3D10065F	อิโต-220เอซี	650	10	115	40 (ทั่วไป 0.7)	1.7 (ทั่วไป 1.45)
Z4D10120F	อิโต-220เอซี	1200	10	105	200 (ปกติ 30)	1.8 (ทั่วไป 1.5)
ซีซีอาร์10650CT	TO-220AB	650	10	60	60	1.7
Z3D20065C	TO-220AB	650	20	115(ต่อขา)	40(ทั่วไป 0.7)(ต่อขา)	1.7(ทั่วไป 1.45)(ต่อขา)
ซีซีอาร์5650	TO-220AC	650	5	60	60	2
ซีซีอาร์6650	TO-220AC	650	6	60	50	2
Z3D06065A	TO-220AC	650	6	70	3 (ทั่วไป 0.03)	1.7 (ทั่วไป 1.5)
Z3D10065A	TO-220AC	650	10	115	40 (ทั่วไป 0.7)	1.7 (ทั่วไป 1.45)
ซีซีอาร์10650	TO-220AC	650	10	110	100	1.7
Z3D20065A	TO-220AC	650	20	170	50 (ทั่วไป 1.5)	1.7 (ทั่วไป 1.45)
ZICR101200	TO-220AC	1200	10	110	100	1.8
ซีซีอาร์12600	TO-220AC	600	12	50	150	1.7
ซีซีอาร์12650	TO-220AC	650	12	50	150	1.7
Z3D03065A	TO-220AC	650	3	46	2(ทั่วไป 0.03)	1.7 (ทั่วไป 1.4)
Z4D04120A	TO-220AC	1200	4	46	200 (ทั่วไป 20)	1.8 (ทั่วไป 1.5)
Z4D05120A	TO-220AC	1200	5	46	200 (ทั่วไป 20)	1.8 (ทั่วไป 1.65)
Z4D02120A	TO-220AC	1200	2	44	50 (ทั่วไป 10)	1.8 (ทั่วไป 1.5)
Z4D10120A	TO-220AC	1200	10	105	200 (ปกติ 30)	1.8 (ทั่วไป 1.5)
Z4D20120A	TO-220AC	1200	20	162	200 (ทั่วไป 35)	1.8 (ทั่วไป 1.5)
Z4D08120A	TO-220AC	1200	8	64	200 (ทั่วไป 35)	1.8 (ทั่วไป 1.6)
Z4D15120A	TO-220AC	1200	15	100	200 (ทั่วไป 35)	1.8 (ทั่วไป 1.5)
Z3D15065A	TO-220AC	650	15	162	25 (ทั่วไป 0.5)	1.7 (ทั่วไป 1.5)
Z3D06065I	TO-220-IZolation	650	6	70	3 (ทั่วไป 0.03)	1.7 (ทั่วไป 1.5)
Z3D10065I	TO-220-IZolation	650	10	115	40 (ทั่วไป 0.7)	1.7 (ทั่วไป 1.45)