โทร
0086-516-83913580
อีเมล
[ป้องกันอีเมล]

ไดโอด SiC การนำความร้อนสูง DPAK (TO-252AA)

คำอธิบายสั้น:

โครงสร้างบรรจุภัณฑ์: DPAK (TO-252AA)

บทนำ: YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC Diode ซึ่งทำจากวัสดุซิลิกอนคาร์ไบด์มีค่าการนำความร้อนสูงและมีความสามารถในการถ่ายเทความร้อนได้ดี เอื้อต่อการปรับปรุงความหนาแน่นของพลังงานของอุปกรณ์ไฟฟ้า ดังนั้นจึงเหมาะสำหรับ ทำงานในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงความแรงของสนามพังทลายสูงของไดโอด SiC จะเพิ่มแรงดันไฟฟ้าที่ทนทานและลดขนาด และความแรงของสนามพังทลายทางอิเล็กทรอนิกส์สูงจะเพิ่มแรงดันพังทลายของอุปกรณ์พลังงานเซมิคอนดักเตอร์ในเวลาเดียวกัน เนื่องจากความแรงของสนามสลายอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้น ในกรณีที่เพิ่มความหนาแน่นของการเจาะสิ่งเจือปน บรอดแบนด์ของขอบเขตดริฟท์ของอุปกรณ์พลังงานไดโอด SiC จะลดลง เพื่อให้ขนาดของอุปกรณ์ไฟฟ้า สามารถลดลงได้


รายละเอียดผลิตภัณฑ์

การตรวจสอบเวลาตอบสนอง

ช่วงการวัด

แท็กสินค้า

ข้อดีของไดโอด SiC DPAK (TO-252AA) ของ YUNYI:

1. ต้นทุนที่แข่งขันได้และมีคุณภาพระดับสูง

2. ประสิทธิภาพการผลิตสูงด้วยระยะเวลารอคอยสั้น

3. ขนาดเล็ก ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพพื้นที่แผงวงจร

4. มีเสถียรภาพและเชื่อถือได้ภายใต้สภาพแวดล้อมทางธรรมชาติต่างๆ

5. ชิปสูญเสียต่ำที่พัฒนาตนเอง

TO-252AA

ขั้นตอนการผลิตชิป:

1. การพิมพ์แบบกลไก (การพิมพ์แผ่นเวเฟอร์อัตโนมัติที่มีความแม่นยำสูงเป็นพิเศษ)

2. การแกะสลักครั้งแรกอัตโนมัติ (อุปกรณ์การแกะสลักอัตโนมัติ, CPK>1.67)

3. การทดสอบขั้วอัตโนมัติ (การทดสอบขั้วที่แม่นยำ)

4. การประกอบอัตโนมัติ (การประกอบที่แม่นยำอัตโนมัติที่พัฒนาตนเอง)

5. การบัดกรี (การป้องกันด้วยส่วนผสมของการบัดกรีไนโตรเจนและไฮโดรเจน)

6. การกัดครั้งที่สองอัตโนมัติ (การกัดครั้งที่สองอัตโนมัติด้วยน้ำบริสุทธิ์พิเศษ)

7. การติดกาวอัตโนมัติ (การติดกาวที่สม่ำเสมอและการคำนวณที่แม่นยำทำได้โดยอุปกรณ์ติดกาวที่แม่นยำอัตโนมัติ)

8. การทดสอบความร้อนอัตโนมัติ (เลือกอัตโนมัติโดยเครื่องทดสอบความร้อน)

9. การทดสอบอัตโนมัติ (เครื่องทดสอบมัลติฟังก์ชั่น)

贴view检测
芯本检测

พารามิเตอร์ของผลิตภัณฑ์:

ส่วนจำนวน บรรจุุภัณฑ์ VRWM
V
IO
A
ไอเอฟแซดเอ็ม
A
IR
μa
VF
V
ZICRD5650 ดีพัค 650 5 60 60 2
ZICRD6650 ดีพัค 650 6 60 50 2
Z3D06065E ดีพัค 650 6 70 3 (ทั่วไป 0.03) 1.7 (ทั่วไป 1.5)
ZICRD10650CT ดีพัค 650 10 60 60 1.7
ZICRD10650 ดีพัค 650 10 110 100 1.7
ZICRD101200 ดีพัค 1200 10 110 100 1.8
ZICRD12600 ดีพัค 600 12 50 150 1.7
ZICRD12650 ดีพัค 650 12 50 150 1.7
Z3D03065E ดีพัค 650 3 46 2(ทั่วไป 0.03) 1.7 (ทั่วไป 1.4)
Z3D10065E ดีพัค 650 10 115 40 (ทั่วไป 0.7) 1.7 (ทั่วไป 1.45)
Z4D04120E ดีพัค 1200 4 46 200 (ทั่วไป 20) 1.8 (ทั่วไป 1.5)
Z4D05120E ดีพัค 1200 5 46 200 (ทั่วไป 20) 1.8 (ทั่วไป 1.65)
Z4D02120E ดีพัค 1200 2 44 50 (ทั่วไป 10) 1.8 (ทั่วไป 1.5)
Z4D10120E ดีพัค 1200 10 105 200(ปกติ 30) 1.8 (ทั่วไป 1.5)
Z4D08120E ดีพัค 1200 8 64 200 (ทั่วไป 35) 1.8 (ทั่วไป 1.6)
Z3D10065E2 ดีพัค 650 10 70(ต่อขา) 8 (ทั่วไป 0.002) (ต่อขา) 1.7(ทั่วไป 1.5)(ต่อขา)

 


  • ก่อนหน้า:
  • ต่อไป:

  •